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IPB80N03S4L-03 射频无线电(IPB80N03S4L-03)
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商品属性
商品描述
产品属性
| 类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET | |
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） | |
| 产品状态 | 停产 | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 80A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 45µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 75 nC @ 10 V | |
| Vgs（最大值） | ±16V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5100 pF @ 25 V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 94W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 | |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | |
| 基本产品编号 | IPB80N |
