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场效应管(MOSFET) IPN60R360P7S PG-SOT223 Infineon(英飞凌)
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商品属性
商品描述
产品属性
| 类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET | |
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | CoolMOS™ P7 | |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） | |
| 产品状态 | 在售 | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 2.7A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 140µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13 nC @ 10 V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 555 pF @ 400 V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 7W（Tc） | |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223 | |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | |
| 基本产品编号 | IPN60R |
