×
IPD60R280P7SAUMA1【MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3】现货
90天内
>0
条交易
价格
起批量
查看价格
起批
服务 24小时内发货
发货地
广东省深圳市福田区福田街道国利大厦2933
运费：13元
支付
银行账号
库存130PCS可售
数量
单价:
总价:
商品详情
订购说明
商品属性
商品描述
| IPD60R280P7SAUMA1 | ||
|---|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | IPD60R280P7SAUMA1TR-ND - 卷带（TR）IPD60R280P7SAUMA1CT-ND - 剪切带（CT）IPD60R280P7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 制造商产品编号 | IPD60R280P7SAUMA1 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 | |
| 原厂标准交货期 | 39 周 | |
| 详细描述 | 表面贴装型 N 通道 600 V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3 | |
| 客户内部零件编号 | ||
| 规格书 | 规格书 产品属性 | |
| 类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET | |
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | CoolMOS™ P7 | |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） | |
| 产品状态 | 在售 | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 280 毫欧 @ 3.8A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 190µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 10 V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 761 pF @ 400 V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 53W（Tc） | |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 | |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | |
| 基本产品编号 | IPD60R |
