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LND150N8-G 封装SOT-89 贴片 全新原装现货 LND150N8
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商品属性
商品描述
产品属性
| 类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET | |
| 制造商 | Microchip Technology | |
| 系列 | - | |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） | |
| 产品状态 | 在售 | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30mA（Tj） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1000 欧姆 @ 500µA，0V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10 pF @ 25 V | |
| FET 功能 | 耗尽模式 | |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 | |
| 封装/外壳 | TO-243AA | |
| 基本产品编号 | LND150 |
