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IAUC60N04S6L030HATMA1封装PG-TDSON-8-56场效应管(MOSFET
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商品属性
商品描述
| 类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品晶体管FET，MOSFETFET、MOSFET 阵列 | |
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） | |
| 产品状态 | 在售 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） | |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tj） | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 30A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 25µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2128pF @ 25V | |
| 功率 - 最大值 | 75W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-56 | |
| 基本产品编号 | IAUC60 | 报告产品信息错误 新建参数搜索 |
