×
IPT60R050G7 PG-HSOF-8 场效应管(MOSFET) 全新原装芯片IC现货
90天内
>0
条交易
价格
起批量
查看价格
起批
服务 24小时内发货
发货地
广东省深圳市福田区福田街道国利大厦2933
运费：13元
支付
银行账号
库存2000PCS可售
数量
单价:
总价:
商品详情
订购说明
商品属性
商品描述
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ G7
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 15.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2670 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
245W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2
封装/外壳
8-PowerSFN
基本产品编号
IPT60R050
