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类别

分立半导体产品

晶体管

FET，MOSFET

单 FET，MOSFET

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™-5

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

17A（Ta），63A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

7V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

5.8 毫欧 @ 31A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.4V @ 13µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

16 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1100 pF @ 20 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3W（Ta），42W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8 FL

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

ISC058N