类别

分立半导体产品

晶体管

FET，MOSFET

单 FET，MOSFET

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

5.5 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 13µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

23 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1209 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

42W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-33

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

IPC50N